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      電化學(xué)-針尖增強拉曼光譜EC-TERS測試系統

      • 產(chǎn)品型號:
      • 產(chǎn)品時(shí)間:2024-05-21
      • 簡(jiǎn)要描述:電化學(xué)-針尖增強拉曼光譜EC-TERS測試系統是一種具有納米尺度空間分辨率分子指紋信息的技術(shù),系統采用倒置顯微鏡結構,底部激發(fā),底部拉曼信號收集,兼容常規拉曼測試、常規電化學(xué)拉曼測試,針尖增強拉曼測試。電化學(xué)池位于壓電位移臺上,可進(jìn)行納米級步進(jìn)移動(dòng); 探針連接X(jué)YZ壓電位移臺, 可進(jìn)行三維精細調節。
      • 產(chǎn)品介紹

      電化學(xué)由于其在電池、燃料電池、腐蝕、合成和催化等各個(gè)領(lǐng)域的廣泛應用而受到越來(lái)越多的關(guān)注。在電化學(xué)系統中,會(huì )發(fā)生各種復雜的過(guò)程,包括物質(zhì)的吸附、解吸和擴散,表面重建,電荷轉移,表面和物種之間化學(xué)鍵的形成或斷裂以及發(fā)生在電化學(xué)界面化學(xué)反應等。因此,電化學(xué)界面的結構決定了整個(gè)電化學(xué)系統的電化學(xué)響應以及材料的

      性質(zhì)和性能

      電化學(xué)的研究主要涉及電化學(xué)界面的結構、性質(zhì)和性能之間的內在關(guān)系,以促進(jìn)電化學(xué)設備的合理設計。電化學(xué)表征技術(shù)主要基于電信號的測量,包括電流和電勢,這些方法可以根據電化學(xué)理論分析電信號來(lái)獲得豐富的信息,包括界面性質(zhì)的熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)信息、表面上反應物的數量以及電極的反應性。然而,由于反應物的化學(xué)指紋信息缺乏,很難在沒(méi)有經(jīng)驗的情況下確定化學(xué)結構。另外,從整個(gè)電極表面的響應測量得到的電信號,是針對整個(gè)電極的,對于非均勻電極的結構和性能無(wú)法進(jìn)行研究。因此,需要開(kāi)發(fā)具有豐富化學(xué)信息和高空間分辨率(低至幾個(gè)納米)的原位表征方法,以全面了解電化學(xué)界面和過(guò)程。 電化學(xué)-針尖增強拉曼光譜( EC-TERS)是一種具有納米尺度空間分辨率分子指紋信息的技術(shù),可以用于實(shí)現上述目標。
       

      電化學(xué)-針尖增強拉曼光譜EC-TERS測試系統聯(lián)用優(yōu)勢
      ● 分子水平的一致性:拉曼光譜可以提供分子水平的信息,可以檢測到電化學(xué)界面上的單個(gè)分子。這使得我們能夠研究電化學(xué)反應的瞬間變化。
      ● 高空間分辨率:通過(guò)使用針尖增強拉曼光譜(TERS)技術(shù),可以在納米探針上實(shí)現高空間分辨率。這使得我們能夠研究界面的局部結構。
      ● 可以在液體環(huán)境下工作:拉曼光譜可以在液體環(huán)境下進(jìn)行測量,這對于研究電化學(xué)修飾過(guò)程非常重要。傳統的電化學(xué)表征技術(shù)通常需要在干燥的條件下進(jìn)行測量,而拉曼光譜可以在多孔溶液中直接進(jìn)行測量。
      ● 化學(xué)指紋信息:拉曼光譜可以提供化學(xué)指紋信息,通過(guò)分析拉曼光譜的峰位和強度,可以研究反應的中間體、吸附物和反應產(chǎn)物。
      ● 非破壞性測量:拉曼光譜是一種非破壞性測量技術(shù),不需要對樣品進(jìn)行特殊處理或標記。這使得我們能夠對電化學(xué)界面進(jìn)行實(shí)時(shí)監測。

      電化學(xué)-針尖增強拉曼光譜EC-TERS測試系統方案
      電化學(xué)-針尖增強拉曼光譜測試系統
      系統采用倒置顯微鏡結構,底部激發(fā),底部拉曼信號收集。兼容常規拉曼測試、常規電化學(xué)拉曼測試,針尖增強拉曼測試。電化學(xué)池位于XY壓電位移臺上,可以進(jìn)行納米級的步進(jìn)移動(dòng); 探針鏈接X(jué)YZ壓電位移臺,可進(jìn)行三維精細調節;從而實(shí)現探針-激光-樣品三位一體。
       
      技術(shù)參數
       
      光譜分辨率<2cm-1
      激發(fā)光源
      532nm激光器,100mW
      633nm激光器,>15mW
      光譜儀焦距320mm,配置3塊光柵
      探測器≥2000*256像素,300-1000nm響應,峰值效率高于90%,芯片深度制冷到-60℃
      常規拉曼空間分辨率<1um@XY方向


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